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碳化硅是人工合成的材料,其化學(xué)計量成分以克分子計:Si 50%C50%,以質(zhì)量計:Si70.04%C29.96%,相對分子質(zhì)量為40.09。Si-C二元系統(tǒng)相圖,碳化硅無一致熔融點(diǎn)。 在封閉系統(tǒng)中、在總壓為101kPa的條件下,碳化硅在2735C分解成石墨和富硅熔體。 此溫度也是形成碳化硅結(jié)晶的較高溫度。在開放系統(tǒng)中,碳化硅約在2300C左右開始分解,形成氣態(tài)硅和殘余石墨,如圖9-1所示。
碳化硅有兩種晶形: B-碳化硅類似閃鋅礦結(jié)構(gòu)的等軸晶系; o-碳化硅則為晶體排列致密的六方晶系。B-碳化硅約在2100C轉(zhuǎn)變?yōu)閛-碳化硅。碳化硅的物理性能:真密度o型3.22g/cmB型3.21g/cm,莫氏硬度9.2,線膨脹系數(shù)為(4.7~5.0)x 10-/C,熱導(dǎo)率(20C)41.76W/(m.K),電阻率(50C)500.cm,1000C20.cm,輻射能力0.95~0.98。
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